Корпуса операционных усилителей

Подробности

Автор: EngineerDeveloper®

              На практике, как правило, в одном корпусе интегральной микросхемы располагаются два и более операционных усилителей (рис. 16).

           Количество ОУ в одном корпусе в первую очередь влияет на топологию разрабатываемой печатной платы, то есть если один корпус – один ОУ, то как правило вход на одной стороне, а выход на противоположной стороне микросхемы. Это в некотором смысле затрудняет трассировку при включении ОУ с обратной связью. То есть длина проводников достаточна велика.  Или же возможно поставить 2 переходных отверстия и цепи обратной связи расположить на противоположной стороне, что даёт вырезы в земляных и питающих полигонах, а так же паразитные характеристики переходных отверстий.

           Чего не скажешь про корпуса ОУ включающие в себя два и более ОУ. Их входы и выходы располагаются на одной стороне ОУ, что достаточно удобно при трассировке многокаскадных устройств. На рисунке 17 приведен пример длины проводников при инвертирующем включении ОУ.

         Сдвоенные или счетверенные ОУ часто используются в схемах стерео усилителей и активных фильтров. Но, есть значительный минус у таких ОУ. Несмотря на современные технологии в многокаскадных усилительных устройствах реализованных на одной подложке (одной микросхеме) уровень перекрёстных помех достаточно велик. Перекрёстные искажения больше всего возникают в результате близкого расположения пассивных компонентов. Поэтому для достижения высокой помехоустойчивости следует использовать ОУ расположенные в разных корпусах.

         Помимо уже отмеченных недостатков и преимуществ, сдвоенные и счетверенные ОУ позволяют осуществить более плотный монтаж платы (Рис. 18) .

          Операционные усилители на сегодняшний день выпускаются, как правило, в корпусах DIP (dual-in-line) и SO (small-outline). Но с каждым годом размер корпусов уменьшается, и шаг между выводами уменьшается. Это позволяет осуществлять более плотную трассировку и как следствие работать на более высоких частотах. Но за счет того, что расстояние между пассивными компонентами уменьшается, то и уровень перекрестных искажений растет.