Новое поколение тандем диодов от STMicroelectronics

Подробности

Автор: EngineerDeveloper®

   Как известно, диоды Шоттки имеют низкое прямое падение напряжения и небольшие потери при переключении, за счет чего находят достаточно широкое применение. Но такие диоды не способны работать с напряжениями более 200 В.

   Используя карбид-кремниевые подложки (Silicon Carbide - SiC) в качестве основы, можно повысить рабочее напряжение до 1200 В.

   Необходимо отметить, что форма тока, протекающего через SiC-диод при включении имеет характер слабого переходного процесса, амплитуда которого не зависит от температуры, а у быстродействующего Si диода имеется ярко выраженный эффект обратного восстановления, причем амплитуда тока и временной интервал его протекания имеют существенную температурную зависимость.

   STMicroelectronics представила второе поколение тандемных диодов, которые позволят повысить энергоэффективность оборудования, такого как: блоки питания, инверторы и электроника автотранспорта.

   По сравнению с первым поколением устройств, новые диоды имеют еще более низкие значения обратного восстановления заряда (Qrr),  что минимизирует потери на переключение. Низкое значение Qrr также ускоряет разработку конструкции схем, что позволяет быстрый выход устройства на рынок.

   Второе поколение 600V тандем диодов компании ST, включает представителей:  STTH8T06DI и STTH8ST06DI диапазона среднего прямого тока до 8А и STTH12T06DI до 12А.